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SI2333供應商庫存 共有1866條更新時間:2021-11-29 11:16:00

SI2333CDS中文資料資料下載文件大小:104.3 KbytesPage:6 Pages廠家VISHAY [Vishay Intertechnology, Inc.]描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
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SI2333CDS-T1-GE3 VISHAY

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SI2333DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

SI2333DS-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

SI2333DST1E3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:

SI2333DS-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin TO-236 T/R

SI2333DST1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:

SI2333DS制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12-V (D-S) MOSFET

SI2333DDS-T1-GE3功能描述:MOSFET -12V 28mOhm@4.5V 6A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

SI2333DDS制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 12 V (D-S) MOSFET

Si2333CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

Si2333CDS-T1-E3功能描述:MOSFET 12V 5.1A 2.5W 35mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube

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